La compañía surcoreana Samsung Electronics ha presentado el primer chip de memoria flash NAND de 32 GB de capacidad, fabricado con tecnología de 40 nanómetros, que puede almacenar información incluso desconectado de una fuente de energía.

Es una mejora sustancial respecto al pasado año, cuando esta compañía presentó un chip del mismo tipo con la mitad de capacidad, 16 GB, y fabricado con tecnología de 50 nanómetros.

Los chips de memoria flash NAND permiten guardar información incluso si se desconectan de una fuente de energía. Su utilización se ha extendido especialmente en dispositivos móviles, como ordenadores portátiles, teléfonos o cámaras fotográficas.

Samsung domina este campo desde 1999, cuando presentó la primera tarjeta flash NAND de 256 MB. Desde entonces, año tras año, se ha ocupado de ser el primero en lograr nuevas cotas en la capacidad de este tipo de chips.

La compañía también ha anunciado que ha desarrollado el primer chip P-RAM (memoria de acceso aleatorio que almacena los datos de sonidos y programaciones) del mundo de 512 MB.

Prevén récord de ventas
Además, la compañía prevé que durante el tercer trimestre del año alcanzará un récord de ventas, y que la tendencia creciente continuará en 2007 debido a una demanda firme de chips de memoria.

"El mercado de memorias DRAM estará aún mejor en el segundo semestre, y seguirá muy bien en 2007", ha comentado Hwang Chang-gyu, presidente de la división de semiconductores de Samsung, en referencia a las memorias de acceso dinámico aleatorio (DRAM).